2026年10月31日上午，北京大学谭聪伟副研究员应邀来我院作了题为“高迁移率二维材料与器件表界面物理化学”的学术报告。报告会由徐华教授主持，学院及校内相关研究方向的教师、研究生共同参会交流。

  报告中，谭聪伟副研究员围绕后摩尔时代高算力、低功耗芯片的发展需求，系统介绍了高迁移率二维半导体材料与器件领域的前沿进展，重点分享了团队在铋基二维单晶晶圆取向外延生长、表界面结构与物性调控以及新型晶体管器件构筑等方面取得的研究成果。针对二维材料理论性能与实际应用差距较大、晶圆级制备和异质集成困难等关键问题，团队建立了铋基二维半导体单晶晶圆的可控制备方法，实现了二维单晶在工业衬底上的精准合成，在器件研究方面，突破二维材料精准合成与三维异质集成瓶颈，创制了采用高κ自氧化物栅介质的外延集成型二维鳍式晶体管和全环栅晶体管，为先进制程高算力、低功耗芯片的发展提供了新思路。此外，介绍了团队在偶数量子霍尔效应、弹道输运等新奇量子效应方面的探索。

  交流环节中，现场师生围绕二维材料的规模化制备、表界面缺陷调控、器件性能优化及产业化应用前景等问题进行了深入讨论。此次报告加深了我校师生对二维半导体材料及后摩尔器件前沿发展的认识，拓宽了科研思路，也为进一步开展相关领域的学术交流与科研合作奠定了良好基础。

撰稿：李东 审核：刘治科